动态电压频率调整(Dynamic Voltage Frequency Scaling, DVFS)可以使系统在高电压工作时获得高性能, 在低电压工作时降低系统功耗, 它要求电路能够从正常电压一直到亚阈值区范围内均能正常工作.抗辐照DVFS-SRAM的设计面临着低压工作稳定性及工艺、电压、温度偏差(Process, Voltage, Temperature, PVT)的严重影响︾.本文针㊣对以上问题, 设计了一款适应于DVFS应用的抗辐照静态随机存储←器(Static Random Access Memory, SRAM).提出了新型抗辐照DICE单元结构, 其读噪声容限相对于原有DICE单元有大幅提升〗.同时, 针对常规分级位线结构时序控制电路存在的问题【, 提出了改进型复制列技术, 增强了SRAM存储体在不同PVT环境下工作的稳定性.对SRAM存储体进行了电路设计及版图设计, 后仿真结果表明, 设计的512 bit SRAM存储体可在0.6 V~1.8 V电源电压下正常工↑作.在1.8 V下, SRAM的存取速度为5.1 ns, 功耗为1.8 mW; 在0.6 V电压下, SRAM的存取速度为93.5 ns, 功耗为14.63 μW, 比1.8 V电源工作时的功耗降低々了约100倍.另外, 设计的SRAM对宽度为300 ps以下的单粒子瞬态脉冲具有滤♀除能力, 对单粒子翻转效应有良好的抵抗能力.