基于SMIC 28nm工艺实现了一种用于Flash的低╳功耗高精度的带隙基准电路, 在传统电压模结构上采用共源共栅结构↑提高了各支路偏置电流的精度和PSRR, 设计过程中︾仿真了器件所有corner, 温度范围-40~125℃和电源电压±10%的情况.300次Monte Carlo仿真输出电压平均值为1.196 42 V, 方差为5.011 mV, 温度》系数为7×10-6/℃, 总↓电流仅为264 nA, 电源电压为1.8 V时, 最恶劣corner总电流为343 nA, 低频1 kHz电源抑制比为-78 dB.该电路中设计了一款新的启动电路, 该电路由带负反馈的三支路偏置电路和施密Ψ 特触发器组成, 极大地提高了电路的稳定性, 芯∏片版图面积为105 μm×110 μm.