金属-绝缘体-金属(Metal-Insulator-Metal, MIM)反熔丝器件常被↑用于现场可编程逻辑阵列(Field Programmable Gate Array, FPGA)的互联结构单元.本文使用高介电常数材料Al2O3作为介质层, 使用原子层沉【积(Atomic Layer Deposition, ALD)技术, 制备了高可靠性, 高性能的MIM反熔丝□ 单元.该反熔丝单元关态电阻超过1TΩ, 同时开态电阻非△常低, 满足正态分♂布, 集中在22 Ω左右, 波动幅度很小, 标〖准差仅为3.7 Ω, 因此Al2O3反熔丝器件具有很高的开关比.本文研究了该器件编程前后两种状态的特性及时变击穿特性(Time Dependent Dielectric Breakdown, TDDB).研究结果表明, 在2 V工作电压下, 未编程的反熔丝单元的预测寿命为1591年, 同时, 当读电流@ 在0~20 mA时, 编程后的反熔丝保↓持稳定.这说明该反熔丝单元在低阻态和高阻态都具有◎非常高的可靠性.