2014, 31(4): 100-102,107.
摘要:
反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工㊣艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降【,由此使得饱ω 和电流Idsat提高并最∑终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单▓元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得『到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的@标准单元库器件.