垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Transistor, VDMOS)是由Pbody与外延层之间形成的PN结承受电◢压, 由♀于工艺限制, 元胞々区域只能设计为突变结, 而终端区域最常用的结构为场限环, 在原理上也相当于突变结耐压.结合结终端扩展(Junction Termination Extension, JTE)技术, 引入缓变结耐压, 设『计了一款900 V的♂终端结构, 实现了992.0 V的仿真击穿电压, 终端效率达到了98.6%, 而且有效终端长度●仅有130.2 μm, 在较大程度上减小了芯片的占用面积, 提◇高了击穿电压◥, 而且工艺流程与成熟的深阱场限环基本一致, 有较好的兼容性.