动态电压频率调整(Dynamic Voltage Frequency Scaling, DVFS)可以使系统在高电压工作时获得高性能, 在低电压工作时降低系统功耗, 它要求电路能够从正常△电压一直到亚阈值区范围内均能正常∮工作.抗辐照DVFS-SRAM的设计面临着低压工作稳定性及ζ工艺、电压、温度偏差(Process, Voltage, Temperature, PVT)的严重々影响.本文针对以上问题, 设计了一款○适应于DVFS应用的抗辐照静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM).提出了◎新型抗辐照DICE单元结构, 其读噪声容限相对于原有DICE单元有大♀幅提升.同时, 针对常规◤分级位线结构时序控制电路存在的问题, 提出了改进型复制列技︽术, 增强了SRAM存储体在不同PVT环境下工作的稳定性.对SRAM存储体进行了电路设计及版图设计, 后仿真№结果表明, 设计的512 bit SRAM存储体可在0.6 V~1.8 V电源电压下正∮常工作.在1.8 V下, SRAM的存取速♀度为5.1 ns, 功耗为1.8 mW; 在0.6 V电压下, SRAM的存取速度为93.5 ns, 功耗为14.63 μW, 比1.8 V电源工作时的功耗降低了约100倍.另外, 设计的SRAM对宽度为300 ps以下的单粒子瞬态脉冲具有滤↓除能力, 对单粒¤子翻转效应有良好的抵抗能力.