针对闪存存储单元会出现】多位错误, 提出了NAND型闪存存储器的二维汉明码算法, 从行和列二维¤结构上对任意2Jbit字长的存储数据, 用◥统一的公式化算法进行汉明编码, 通过计算纠错偶对能够纠错多位数据误码的情□况, 译码时先纠错, 再校验, 保证存储系统数据的完整性, 解决了MLC结构闪存的纠错问题.在此基础上分○析了不能纠错的图样模式.该算法核心结构上只有异或操作, 易于实现, 适用于NAND型闪存存储器.实验表明, 闪存系统中有效数据二维结构为1 024×128时, 采用二维汉明码结构, 编码效率为11%, 实际编码效率为12.6%.其编码速度和译码速度均达到了102Gbps, 适用于高速存储↑系统.